MAGNETORESISTANCE DANS UNE PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES PARALLELES EN REGIME STATIQUE SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE
- Groupe International de Recherche en Energie Renouvelable (GIRER). BP. 15003, Dakar, Senegal.
- Universite Assane SECK, Ziguinchor, Senegal.
- Institut Universitaire de Technologie. Universite Iba Der THIAM de Thies-Senegal.
- Ecole Polytechnique de Thies, BP A10, Thies, Senegal.
Abstract
Une etude theorique de la photopile au silicium polycristallin a jonctions verticales paralleles en regime statique sous eclairement polychromatique et sous champ magnetique est presentee. La resolution de lequation de magneto-transportrelative a la densite des porteurs minoritaires de charge dans la base a permis de deduire les expressions du photocourant et de la resistance shunt (Rsh) de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison a la jonction et de la profondeur z de la photopile pour differentes valeurs du champ magnetique.
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Moussa I. Ngom, Mohamed Lemine CHEIKH, M. Yacine BA, Malick NDIAYE, A. Mamour BA, Sega GUEYE, Moustapha THIAME, Ousmane SOW, Mamadou WADE and Gregoire SISSOKO (2023); MAGNETORESISTANCE DANS UNE PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES PARALLELES EN REGIME STATIQUE SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE, Int. J. of Adv. Res., 11 (06), 752-763, ISSN 2320-5407. DOI: https://doi.org/10.21474/IJAR01/17124
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