MAGNETORESISTANCE SERIE DUNE PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTIONS VERTICALES CONNECTEES EN PARALLELE EN REGIME STATIQUE SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE

Une etude theorique de la photopile au silicium polycristallin a jonction verticale parallele en regime statique sous eclairement polychromatique et sous champ magnetique est presentee. La resolution de lequation de magneto-transport relative a la densite des porteurs minoritaires dans la base a permis de deduire les expressions de la phototension, et de la resistance serie de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction et de la profondeur z de la photopile pour differentes valeurs du champ magnetique. A partir du profil de variation de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction, la methode graphique de determination de la vitesse de recombinaison a la jonction limitant le circuit-ouvert est appliquee. La determination de ce parametre phenomenologique a permis de deduire graphiquement la valeur de la resistance serie pour differentes valeurs du champ magnetique.