RESISTANCE SERIE DANS LA PHOTOPILE BIFACIALE (N+/P/P+) AU SILICIUM SOUS CHAMP MAGNETIQUE : EFFET DE LA RESONANCE EN TEMPERATURE DU COEFFICIENT DE DIFFUSION
- Groupe International de Recherche en Energie Renouvelable (GIRER). BP. 15003, Dakar, Senegal.
- Institut Universitaire de Technologie. Universite Iba Der THIAM de Thiès-Senegal.
- Faculte des Sciences et Technologies de Leducation et de la Formation-Departement de Physique et Chimie, Universite Cheikh Anta DIOP, Dakar-Senegal.
- Universite Assane SECK, Ziguinchor, Senegal.
Abstract
Dans ce travail, laccent est mis sur letude de la caracteristique densite de courant - tension, obtenue de la photopile sous eclairement, en lien avec la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction, pour differentes valeurs de lepaisseur optimum obtenue pour chaque valeur du coefficient de diffusion optimum. Le paramètre electrique quest la resistance serie est alors deduit et etudie en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge a la jonction, imposant le point de fonctionnement a la photopile depaisseur optimum de la base induite par le coefficient de diffusion maximum.
Keywords
How to Cite This Article
Ousmane Sow, Abdoulaye Diop, Khady Loum, Youssou Traore, Sega Gueye, Moustapha Thiame and Gregoire Sissoko (2024); RESISTANCE SERIE DANS LA PHOTOPILE BIFACIALE (N+/P/P+) AU SILICIUM SOUS CHAMP MAGNETIQUE : EFFET DE LA RESONANCE EN TEMPERATURE DU COEFFICIENT DE DIFFUSION, International Journal of Advanced Research (IJAR), 12 (01), 396-406, ISSN 2320-5407. DOI: https://doi.org/10.21474/IJAR01/18135
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