INFLUENCE DE LA TEMPERATURE ET DU CHAMP MAGNETIQUE SUR LA DECROISSANCE TRANSITOIRE DE LA DENSITE DES PORTEURS DE CHARGE DANS UNE PHOTOPILE AU SILICIUM A MULTI JONCTIONS VERTICALES CONNECTEES EN PARALLELE ET PLACEE ENCIRCUIT OUVERT
- Groupe International de Recherche en Energie Renouvelable(GIRER). BP. 15003, Dakar, Senegal.
- Institut Universitaire de Technologie-Universite Iba Der THIAM de Thies-Senegal.
- Universie Assane SECK, Ziguinchor-Senegal.
- Ecole Polytechnique de Thies-Senegal.
Abstract
Une etude de leffet de la temperature et du champ magnetique sur une photopile au silicium a jonctions verticales connectees en parallele, est presentee,en fonctionnement de regime transitoire de circuit ouvert. La densite transitoire de porteurs minoritaires en exces dans la base est une somme de termes infinis, dont le temps de decroissance des differentes harmoniques est etudie. Lepaisseur optimum de la base permet de determiner la temperature optimum qui influe sur le temps de decroissance du regime transitoire.
Keywords
How to Cite This Article
Pape Diop, Sega Gueye, Gora Diop, Dibor Faye, Ibrahima Diatta, Oumou Khalsoum Dieng, Ousmane Sow, Moustapha Thiame, Mamadou Wade and Gregoire Sissoko (2022); INFLUENCE DE LA TEMPERATURE ET DU CHAMP MAGNETIQUE SUR LA DECROISSANCE TRANSITOIRE DE LA DENSITE DES PORTEURS DE CHARGE DANS UNE PHOTOPILE AU SILICIUM A MULTI JONCTIONS VERTICALES CONNECTEES EN PARALLELE ET PLACEE ENCIRCUIT OUVERT, International Journal of Advanced Research (IJAR), 10 (08), 69-82, ISSN 2320-5407. DOI: https://doi.org/10.21474/IJAR01/15150
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