ETUDE DUNE PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE ENMODULATION DE FREQUENCE : EFFET DE LA VITESSE SURFACIQUE DE RECOMBINAISON, DE LA FREQUENCE ET DE LEPAISSEUR SUR LES PARAMETRES  ELECTRIQUES

Matar Niane; Mohamed Abderrahim Ould El Moujtaba; Khady Loum; Rasmane Simpore; Ibrahima Diatta; Youssou Traore; Moustapha Thiame; Sega Gueye; Gregoire Sissoko

doi:10.21474/IJAR01/18715

15 May 2024 Vol. 12 (05) pp. 276-289 DOI: 10.21474/IJAR01/18715

ETUDE DUNE PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE ENMODULATION DE FREQUENCE : EFFET DE LA VITESSE SURFACIQUE DE RECOMBINAISON, DE LA FREQUENCE ET DE LEPAISSEUR SUR LES PARAMETRES ELECTRIQUES

Matar Niane, Mohamed Abderrahim Ould El Moujtaba, Khady Loum, Rasmane Simpore, Ibrahima Diatta, Youssou Traore, Moustapha Thiame, Sega Gueye and Gregoire Sissoko

Groupe International de Recherche en Energie Renouvelable (GIRER). BP. 15003, Dakar, Senegal.
Faculte des Sciences et Techniques, Universite de Nouakchott, -Mauritanie.
Universite Iba Der THIAM de Thies, Senegal.
Universite Nobert ZONGO, Koudougou, Burkina Faso.
Universite Assane SECK, Ziguinchor, Senegal.
Faculte des Sciences et Technologies de leducation et de la Formation-Departement de Physique et Chimie, Universite Cheikh Anta DIOP, Dakar-Senegal.

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Abstract

Letude de la photopile monofaciale (n+/p/p+) au silicium cristallin a travers la resolution de lequation de diffusion en regime dynamique relative a la densite de porteurs minoritaires de charge dans la base(p), munie des conditions aux limites associees aux vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere, conduit aux caracteristiques electriques, courant-tension, puissance-tension delivree et le facteur de forme. Ce travail montre et analyse sur ces quantites,les effetsde la frequence de modulation de la lumiere polychromatique incidente, de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge en face arriere et de lepaisseur de la base de la photopile.

Keywords

How to Cite This Article

Matar Niane, Mohamed Abderrahim Ould El Moujtaba, Khady Loum, Rasmane Simpore, Ibrahima Diatta, Youssou Traore, Moustapha Thiame, Sega Gueye and Gregoire Sissoko (2024); ETUDE DUNE PHOTOPILE (N+/P/P+) AU SILICIUM CRISTALLIN SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE ENMODULATION DE FREQUENCE : EFFET DE LA VITESSE SURFACIQUE DE RECOMBINAISON, DE LA FREQUENCE ET DE LEPAISSEUR SUR LES PARAMETRES ELECTRIQUES, International Journal of Advanced Research (IJAR), 12 (05), 276-289, ISSN 2320-5407. DOI: https://doi.org/10.21474/IJAR01/18715