DETERMINATION DE LA RESISTANCE SERIE DE LA PHOTOPILE AU SILICIUM (N+/P/P+) A JONCTIONS VERTICALES SERIES SOUS CHAMP MAGNETIQUE
- Polytechnic School of Thies, BP A10, Thies, Senegal.
- Laboratory of Semiconductors and Solar Energy, Physics Department, Faculty of Science and Technology, University Cheikh Anta Diop, Dakar, Senegal.
- Groupe International de Recherche en Energie Renouvelable, BP. 15003 Dakar Fann, Senegal.
Abstract
Lequation de magneto transport relative aux porteurs minoritaires de charge dans la base de la photopile au silicium a jonctions verticales series, est resolue, munie des conditions aux limites, definies par les vitesses de recombinaison a la jonction et en face arriere. Le photocourant et la phototension sont determines, et representes par la caracteristique courant-tension (Iph(Sf)-Vph(Sf)) de la photopile sous eclairement monochromatique. Le modele electrique equivalent de la photopile en situation de circuit ouvert, conduit a la determination de la resistance serie, pour differentes epaisseurs optimum de la base, imposees par le champ magnetique applique.
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Gora DIOP, Mame Faty Mbaye FALL, Mamadou SALL, Khady LOUM, Ibrahima DIATTA, Mor NDIAYE, Mamadou WADE and Gregoire SISSOKO (2021); DETERMINATION DE LA RESISTANCE SERIE DE LA PHOTOPILE AU SILICIUM (N+/P/P+) A JONCTIONS VERTICALES SERIES SOUS CHAMP MAGNETIQUE, Int. J. of Adv. Res., 9 (10), 1204-1217, ISSN 2320-5407. DOI: https://doi.org/10.21474/IJAR01/13668
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